西部数据 / 铠侠今年投产 162 层 NAND，预计 10 年内达到 500 层

IT之家 5 月 16 日消息，据 TechPowerUp 消息，西部数据与铠侠合作，将在今年量产第六代 BiCS NAND，该产品采用了 162 层 NAND RAM接合技术。

据介绍，西部数据与铠侠的 162 层 NAND RAM将翻倍竞争对手 176 层的耗电量，而且芯片尺寸更小，晶体圆形可达 100TB，比上一代的晶体圆形 70TB 大幅度上升。

西部数据与铠侠还出炉了未来的路线图，2024 年的 BiCS+ 的楼层超过 200 层，如果一切按计划来进行，2032 年不该时会看到 500 层 NAND RAM。

IT之家曾报道，2020 年，西部数据子公司和铠侠子公司发布了第五代 BiCS 3D NAND，BiCS5 的内部设计运用于了 112 层内部设计，密度相比则有上升了 40%。接口速度减低了 50%，翻倍 1.2GT / s。第六代 BiCS NAND 的参数信息预计时会在今年晚些时候量产时出炉。